طراحی اسپین ترانزیستور گرافینی

پایان نامه
چکیده

محققین، ادوات اسپینی را جهت بهبود عملکرد ادوات الکتریکی پیشنهاد داده اند. ادوات اسپینی مهمترین نقش خود را در ساخت ترانزیستورها ی اسپینی ایفا کرده اند. همانطور که در این پایان نامه نیز به آن خواهیم پرداخت، ترانزیستورهای اسپینی بر روی صفحه ی گرافینی با برخورداری از قابلیت گرافن جهت رفع چالش های ترانزیستورهای فعلی ارایه شده اند. که سرعت این ترانزیستورها به علت بالا بودن سرعت حرکت الکترونها در سطح گرافن، در مقایسه با ترانزیستورهای فعلی بسیار بالا است. همچنین با بکارگیری گرافین در کانال این ترانزیستورها، به علت خاصیت گرافین می توان برهم کنش های موجود در کانال های با مواد نیمه هادی چشم پوشی کرد. ما در این پایان نامه توانستیم با وارد کردن مشخصات گرافین به جای مشخصات نیمه هادی در کانال، به علت خواص الکتریکی و سرعت انتقال بالای حامل ها در گرافین به ترانزیستور اسپینی با مشخصات بهتر دست بیابیم. همچنین با استفاده از روابط اثر راشبا، با اعمال ولتاژ گیت، به اندازه ی 180درجه یا 3.14 درجه ی رادیان زاویه ی اسپین هایی که در کانال تغییر کرده را تغییر داد و به این ترتیب ترانزیستور را روشن و یا خاموش کرد. همانطور که از نتایج شبیه سازی با استفاده از نرم افزار متلب، مشاهده شد، با تغییر ولتاژ گیت به صورت خطی زاویه ی اسپین تغییر پیدا کرد.

منابع مشابه

طراحی فرامواد گرافینی با قابلیت تنظیم خواص اپتیکی

گرافن ماده ای دو بعدی است که به واسطه قابل کنترل بودن رسانش الکتریکی آن، می تواند در طراحی فرامواد تنظیم پذیر بکار گرفته شود. در این مقاله، ساختار دو فراماده شامل آرایه ای از حلقه های شکافدار (SRR ) و ساختار مکمل حلقه ها (CSRR ) بر پایه ی گرافن را معرفی نموده و تغییرات پذیرفتاری الکتریکی موثر فراماده طراحی شده را با تغییر پتانسیل شیمیایی گرافن، تغییر ابعاد ساختار و قطبش نور فرودی بررسی می کنیم....

متن کامل

مطالعه ترابرد وابسته به اسپین در نانو نوارهای گرافینی خمیده

در این پایان نامه، ما ترابرد الکترونی در گرافین را در حضور برهم کنش اسپین-مدار راشبا با استفاده از روش ماتریس انتقال مورد مطالعه قرار می¬دهیم. ابتدا یک ناحیه¬ی اسپین-مدار ناهمگن بین دو ناحیه¬ی نرمال در یک گرافین تخت در نظر می¬گیریم، که در مرز ناحیه¬ی بین اسپین-مدار با ناحیه¬ی نرمال شدت اسپین- مدار به صورت خطی تغییر پیدا می¬کند و ناحیه-ی مرکزی اسپین-مدار دارای شدت اسپین- مدار ثابتی می¬باشد. احتم...

تاثیرات جفت شدگی اسپین مدار روی نانو نوارهای گرافینی

در این رساله با استفاده از فرمول بندی پراکندگی لاندائو-بتیکر به بررسی رسانش در گرافین تک لایه می پردازیم . گرافین تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است که اخیرا توجه زیادی را به خود جلب کرده است . ما نشان خواهیم داد با حضور جفت شدگی اسپین مدار می توان در این ماده دو بعدی گاف ایجاد نمود . نتایج نشان می دهند جفت شدگی اسپین مدار راشبا علاوه بر ایجاد گاف در نوار، می تواند روی ترابرد اسپین حامل های ...

15 صفحه اول

طراحی فرامواد گرافینی با قابلیت تنظیم خواص اپتیکی

گرافن ماده ای دو بعدی است که به واسطه قابل کنترل بودن رسانش الکتریکی آن، می تواند در طراحی فرامواد تنظیم پذیر بکار گرفته شود. در این مقاله، ساختار دو فراماده شامل آرایه ای از حلقه های شکافدار (srr ) و ساختار مکمل حلقه ها (csrr ) بر پایه ی گرافن را معرفی نموده و تغییرات پذیرفتاری الکتریکی موثر فراماده طراحی شده را با تغییر پتانسیل شیمیایی گرافن، تغییر ابعاد ساختار و قطبش نور فرودی بررسی می کنیم....

متن کامل

بررسی خواص مغناطیسی ریزساختارهای نانومتری گرافینی و نانوروبان‌های گرافینی زیگزاگ‎

The discovery of graphene and its remarkable electronic and magnetic properties has initiated great research interest in this material. Furthermore, there are many derivatives in these graphene related materials among which graphene nanoribbons and graphene nanofragments are candidates for future carbon-based nanoelectronics and spintronics. Theoretical studies have shown that magnetism can ari...

متن کامل

طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه‏ ای برای بهبود اثرات خود گرمائی

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایSOI-MOSFET به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده Si3N4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لای...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده برق و کامپیوتر

کلمات کلیدی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023